• SiC 物理和电学特性
• III 氮化外延技术
• 材料文档

材料

Cree 在半导体材料技术领域超越潜力、突破极限。我们向遍布全球的制造商和研究人员提供基底和外延材料。

Cree 在碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 这两种高性能材料方面拥有无可匹敌的专业技术。

Cree SiC 和 GaN 技术的应用包括

• 开关模式电源供应 (SMPS)
• 混合动力车
• 军事通信设备
• 高级 RADAR 实施

SiC 具备卓越的物理和电学特性，是一种重要半导体材料，适用于各种高性能电子设备。（了解有关 SiC 物理和电学特性的详情。）

Cree 是 III 氮化外延材料的前沿革新者，这种材料与 SiC 一样，能够为高级电子和光电器件的制造提供诸多优势。（了解有关Cree III 氮化外延技术的详情。)

查看材料文档部分，了解 Cree 产品的规格和技术。

如需了解 Cree 各种材料的技术优势，请发送电子邮件至 MaterialsSales@cree.com 联系我们。

• 2010 年 8 月 30 日
  Cree 展示高品质的 150 毫米碳化硅基片
• 2007 年 10 月 15 日
  Cree 发布商业化生产版的 100 毫米零微管碳化硅基底
• 2007 年 5 月 23 日
  Cree 展示 100 毫米零微管碳化硅基底
• 2006 年 6 月 26 日
  Cree 收购 INTRINSIC 半导体公司