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SiC 和 GaN MMIC 晶圆代工

碳化硅 (SiC) MESFET 和 GaN 型 HEMT

如需详细信息，请联络 Cree ，电子邮件为 WirelessSales@cree.com。

Cree 的 SiC MESFET 和 GaN HEMT MMIC 工艺可用于使用标准全晶片 (SFW) 服务或共享多项目 (SMP)“披萨掩模”(pizza mask) 制造服务的 MMIC 开发。客户可以使用 ADS 或 MWO 设计套件进行晶圆设计，或委托 Cree 执行设计服务。这两种工艺的特点

• 高功率密度（4-6 瓦特/毫米）晶体管
• 插槽通孔
• 高可靠性，工作通道温度高达 175-225ºC
• 晶胞可扩展（1 至 8 毫米/晶胞）

与其他 MMIC 技术相比，这种 MMIC 技术的价值在于功率带宽更大、效率更高，而规格却更小。

请阅读晶圆代工手册。

• 2011 年 12 月 12 日
  Cree 向 RFHIC 授权使用关键的多尔蒂放大器专利
• 2011 年 6 月 2 日
  Cree GaN HEMT 晶体管以及 MMIC 在 S 波段雷达应用上能够实现行业领先的功率和效率
• 2011 年 6 月 2 日
  Cree 展示了业界首个 C 波段 GaN HEMT MMIC 高功率放大器，专用于卫星通信
• 2010 年 5 月 20 日
  Cree 展示新型 GaN HEMT 功率放大器与开关产品
• 2010 年 5 月 20 日
  Cree GaN HEMT MMIC 功率放大器频率范围扩展到 X 频段，包括首次面世的 LNA（低噪音放大器）