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RF 产品

Cree 是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的领先供应商。典型应用包括

• 双通道私人电台
• 宽带放大器
• 蜂窝基础设施
• 测试仪器
• 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器

Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。

SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括

• 高导热性
• 高击穿电场
• 高饱和电子漂移速度
• 高功率密度（每单位栅范围功率）

这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。

• 2011 年 12 月 12 日
  Cree 向 RFHIC 授权使用关键的多尔蒂放大器专利
• 2011 年 6 月 2 日
  Cree GaN HEMT 晶体管以及 MMIC 在 S 波段雷达应用上能够实现行业领先的功率和效率
• 2011 年 6 月 2 日
  Cree 展示了业界首个 C 波段 GaN HEMT MMIC 高功率放大器，专用于卫星通信
• 2010 年 5 月 20 日
  Cree 展示新型 GaN HEMT 功率放大器与开关产品
• 2010 年 5 月 20 日
  Cree GaN HEMT MMIC 功率放大器频率范围扩展到 X 频段，包括首次面世的 LNA（低噪音放大器）